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可拉伸復(fù)合單層電極用于低壓電介質(zhì)執(zhí)行器——實(shí)驗(yàn)部分
來(lái)源:上海謂載 瀏覽 1034 次 發(fā)布時(shí)間:2021-12-17
2.實(shí)驗(yàn)部分
2.1.化學(xué)制品
區(qū)域正聚(3-己基噻吩-2,5-二酰基)(P3HT,CAS 156074-98-5,純度為99.995%)和區(qū)域正聚(3-癸基噻吩-2,5-二酰基)(P3DT,CAS 110851-65-5,純度為99.995%)由Sigma Aldrich訂購(gòu)并按收貨時(shí)使用。多壁碳納米管(MWCNT;外徑15–35 nm,長(zhǎng)度≥10μm)從Nanothinx S.A.(希臘里約熱內(nèi)盧)購(gòu)買。聚(丙烯酸)(PAA,25%溶于水,CAS 9003-01-4)從Chemie Brunschwig訂購(gòu)。乙醇(99.9%)和氯仿(99.2%)從VWR Prolabo Chemicals訂購(gòu)。PDMS(Sylgard 186,MED-4086)和PDMS溶劑(OS-2)從道康寧(密歇根州奧本)訂購(gòu)。
2.2.LS法制備DEA電極
2.2.1.聚噻吩(PT)溶液
PT(P3DT或P3HT)溶液(0.167g/L)在氯仿-乙醇9:1 v/v中制備,然后超聲處理30分鐘
2.2.2.多壁碳納米管/鉑混合溶液
將PT溶解在氯仿溶液(0.167 g/L)中,然后超聲處理30 min。將多壁碳納米管分散在乙醇(20 g/L)中,然后超聲處理1 h。將兩種溶液以9(氯仿)/1(乙醇)的體積分?jǐn)?shù)混合,然后超聲處理5 h,然后在3000 rpm下離心15 min。收集上清液并進(jìn)行兩次額外的離心,每次離心15分鐘。根據(jù)光學(xué)顯微鏡圖像和補(bǔ)充數(shù)據(jù)(第1節(jié),圖S1和表S1)中概述的LS轉(zhuǎn)移復(fù)合MWCNT/PT單層的表面電阻值,對(duì)該工藝進(jìn)行了優(yōu)化。
2.2.3.單層電極制作
單分子膜在KIBRON-Langmuir-Blodgett(LB)槽(MicroTroughX)中形成。使用微型注射器在超純水表面(18.2 MΩcm Millipore Simplity,Billerica,MA)上噴灑足夠體積的溶液。溶劑蒸發(fā)后,單層以10 mm/min的勢(shì)壘速度壓縮,并記錄表面壓力。在下文中,等溫線表示為槽面積的函數(shù),而不是每個(gè)單體的面積。通過(guò)布魯斯特角顯微鏡原位驗(yàn)證氣道-水界面的單層均勻性;補(bǔ)充數(shù)據(jù)(第2節(jié))[31]中給出了有關(guān)該技術(shù)的更多詳細(xì)信息。對(duì)于LS轉(zhuǎn)移,單層保持在15 mN/m的表面壓力下,并使用KIBRON的步進(jìn)電機(jī)以2 mm/min的速度向單層水平移動(dòng)PDMS基板。一旦基底/單層接觸建立,PDMS基底升高,直到轉(zhuǎn)移完成。
2.3.原子力顯微鏡(AFM)
使用Rosset等人[32]報(bào)告的方法制備100μm厚的PDMS膜,并將其用作單層電極LS轉(zhuǎn)移的基底(補(bǔ)充數(shù)據(jù),第3.1節(jié))。AFM圖像采用Brüker公司的尺寸圖標(biāo)顯微鏡的峰值力敲擊模式進(jìn)行。使用彈簧常數(shù)為0.4 Nm的ScanAsyst空氣懸臂梁(Brüker)在空氣中進(jìn)行AFM成像?1.在0.5 Hz掃描頻率下,以高度模式和256×256分辨率獲得10μm×10μm圖像。使用NanoScope軟件版本1.40(Brüker)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
2.4.表面電阻測(cè)量
將轉(zhuǎn)移到100μm厚PDMS基底上的單分子膜放置在兩個(gè)矩形銅電極上,圍繞一個(gè)1cm×1cm正方形作為活性區(qū)。通過(guò)在銅電極之間施加10V的測(cè)量電流確定電阻。使用Gamry Instruments恒電位儀(參考600)進(jìn)行這些測(cè)量。
2.4.1.隨時(shí)間變化的表面電阻穩(wěn)定性
研究了PT摻雜對(duì)表面電阻穩(wěn)定性的影響。將轉(zhuǎn)移的PT單分子膜浸入乙腈中的0.15 M FeCl3中5分鐘,然后用乙腈沖洗[29]。對(duì)于每種類型的單層,測(cè)量六個(gè)單獨(dú)的樣品,以獲得平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。
2.4.2.作為應(yīng)變函數(shù)的表面電阻
在不同的拉伸條件下,測(cè)量了轉(zhuǎn)移到100μm厚PDMS懸浮基底上的單分子膜的表面電阻。在每種情況下使用兩個(gè)樣品,拉伸過(guò)程中采用1%拉長(zhǎng)/s的速度。還研究了樣品循環(huán)對(duì)表面電阻的影響。為此,每個(gè)樣品使用10個(gè)拉伸釋放周期(1%/s),每個(gè)周期之間延遲30秒。
2.5.單分子膜楊氏模量的測(cè)量
單層電極的楊氏模量通過(guò)使用單軸拉伸試驗(yàn)裝置的拉伸試驗(yàn)進(jìn)行測(cè)量。通過(guò)測(cè)量極軟的10μm厚PDMS基底(楊氏模量為40 kPa)上單層的硬化沖擊,可以計(jì)算單層的楊氏模量(關(guān)于PDMS制備的更多詳細(xì)信息,見(jiàn)補(bǔ)充數(shù)據(jù),第3.2節(jié))。使用直線電機(jī)(Saia Burgess的UAL)以0.67%/s的應(yīng)變速率對(duì)PDMS膜進(jìn)行單軸循環(huán)拉伸(20%應(yīng)變)。拉伸方向平行于PDMS矩形的2 mm邊緣,因此拉伸的PDMS膜處于純剪應(yīng)力狀態(tài)。在測(cè)量過(guò)程中,使用力傳感器(Futek LSB200,容量100 mN)和步進(jìn)電機(jī)編碼器同時(shí)測(cè)量力和樣品伸長(zhǎng)率,從而能夠表示應(yīng)力-應(yīng)變關(guān)系。在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,編寫了LabVIEW代碼來(lái)控制電機(jī)和力傳感器。
測(cè)量裸PDMS膜的楊氏模量后,將單層電極轉(zhuǎn)移到這些PDMS膜上。使用與裸PDMS膜相同的參數(shù)測(cè)定PDMS+電極雙層的楊氏模量。PDMS+電極雙層由兩個(gè)長(zhǎng)度和寬度相等的粘附層形成,因此使用[33]計(jì)算電極楊氏模量:
其中Y是楊氏模量,t是厚度。
2.6.DEAs制造
制備了2.0μm厚的PDMS膜(Sylgard 186,道康寧)作為DEA的DE膜(PDMS膜制造的詳細(xì)信息見(jiàn)補(bǔ)充數(shù)據(jù),第3.3節(jié))。為了處理和預(yù)拉伸亞微米懸浮PDMS膜,開(kāi)發(fā)了一種可拉伸支架,該支架由丙烯酸粘合劑(3M,VHB 4905)制成,上面覆蓋有硅轉(zhuǎn)移粘合劑(粘合劑研究,ARclear 8932)。使用可拉伸支架,從PET基材上釋放2.0μm厚的懸浮PDMS膜,并以1.2的線性比等雙軸預(yù)拉伸至1.4μm厚(圖2a)。使用硅酮轉(zhuǎn)移粘合劑將預(yù)拉伸的PDMS固定在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支架(圖2b)上。將掩模(由硅粘合劑的背膜ARclear 8932制成)放置在懸浮的PDM上(圖2c)。掩膜用于通過(guò)LS轉(zhuǎn)移形成單層圖案,并保持懸浮PDMS膜平坦(圖2d)。在單層電極的LS轉(zhuǎn)移后,在掩模和PDMS層之間沉積一滴乙醇以幫助剝離掩模。獲得了一側(cè)帶有圖案化單層電極的預(yù)拉伸PDMS薄膜(圖2e)。將帶有一個(gè)轉(zhuǎn)移電極的PDMS膜涂敷在較小的支架上,PDMS裸露表面朝上(圖2f)。在這個(gè)較小的支架上,第一個(gè)圖案化電極與銅連接接觸(圖2g),第二個(gè)電極在另一側(cè)轉(zhuǎn)移(圖2c-e)。使用硅酮轉(zhuǎn)移粘合劑將另一個(gè)較小的保持環(huán)粘合到DEA,以提供第二電極的電接觸(圖2h)。使用少量導(dǎo)電銀環(huán)氧樹(shù)脂確保單層電極和銅帶之間的良好電氣連接(參見(jiàn)補(bǔ)充數(shù)據(jù),第4節(jié),圖S3)。DEA的活性區(qū)(直徑3mm的循環(huán))位于預(yù)拉伸的1.4μm厚PDMS膜的中心,兩個(gè)電極重疊。
圖2。采用LS技術(shù)制備1.4μm厚DEA的工藝。(a)懸浮式PDM(Sylgard 186)等雙軸預(yù)拉伸(初始厚度:2.0μm,拉伸后:1.4μm)。(b)懸浮拉伸1.4μm厚的PDMS膜,固定在PMMA支架上。(c)在懸浮膜上放置一個(gè)面罩。(d)在空氣-水界面形成的單層電極在帶有掩膜的懸浮PDMS膜上的LS轉(zhuǎn)移。(e)PDMS上的圖案化單層電極。(f)將覆蓋有圖案化單層電極的PDMS膜轉(zhuǎn)移到較小的PMMA支架上。(g)圖案化單層電極位于PDMS的下側(cè),電極與銅帶連接,PDMS的上側(cè)不帶電極。(h)采用LS電極技術(shù)制造DEA。
在制造的DEA的兩個(gè)電極之間施加高達(dá)130V的電壓。測(cè)量中心活性區(qū)的直徑線性應(yīng)變,作為施加電壓的函數(shù)。還測(cè)量了線性應(yīng)變作為頻率的函數(shù),以表征DEA的速度。